IAUT300N08S5N011ATMA1 vs IAUT300N08S5N012ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUT300N08S5N011ATMA1 par Infineon et IAUT300N08S5N012ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUT300N08S5N011ATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 ✓ Actif
Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUT300N08S5N011ATMA1 IAUT300N08S5N012ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,40 $2,20
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) 300 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 410 A (Tj) —
R_DS(on) max 1.10 mOhm at V_GS=10 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.8 V —
Total Gate Charge (Q_g) 231 nC at V_GS=10 V —
Input Capacitance (C_iss) 16.25 nF —
Output Capacitance (C_oss) 2.6 nF —
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) 130 pF —
Power Dissipation (P_D) 375 W at T_C=25C —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55 °C to +175 °C (TJ)
Boîtier PG-HSOF-8-1 (TOLL 10x12 mm) PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Qualification Automotive (AEC-Q101) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS™-5 80 V
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 300 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 1200 A (per datasheet, typical)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.2 mΩ
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant

Fiches techniques et ressources

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