IAUT300N08S5N012ATMA2 vs IAUC100N10S5N040ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUT300N08S5N012ATMA2 par Infineon et IAUC100N10S5N040ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ ActifInfineon
IAUC100N10S5N040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N10S5N040ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUT300N08S5N012ATMA2 | IAUC100N10S5N040ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,20 | $1,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS™-5 80 V | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 300 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 1200 A (per datasheet, typical) | 400 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.2 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | 375 W | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55C to +175C (junction) |
| Boîtier | PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) | PG-TDSON-8-34 (TDSON-8, 5x6 mm) Surface Mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q100 qualified |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | MSL1 (up to 260C peak reflow) |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Technology | — | OptiMOS-5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | — | 100 A (package-limited) |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 167 W @ TC=25C |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | — | 0.9 K/W |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche tested |
| AOI Compatibility | — | Feasible for Automatic Optical Inspection |
| Statut RoHS | — | Compliant |