IAUT300N08S5N012ATMA2 vs IAUC100N10S5N040ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUT300N08S5N012ATMA2 メーカー: Infineon および IAUC100N10S5N040ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ 生産中
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IAUC100N10S5N040ATMA1 IAUC100N10S5N040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5N040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5N040ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUC100N10S5N040ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.20 $1.62
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS™-5 80 V —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 300 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 1200 A (per datasheet, typical) 400 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.2 mΩ —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C (TJ) -55C to +175C (junction)
パッケージ PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) PG-TDSON-8-34 (TDSON-8, 5x6 mm) Surface Mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q100 qualified
RoHS Compliance Compliant —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] MSL1 (up to 260C peak reflow)
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Technology — OptiMOS-5
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 100 A (package-limited)
RDS(on) max @ VGS=10V — 4 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Maximum Power Dissipation (PD) — 167 W @ TC=25C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 0.9 K/W
Avalanche Rating — 100% Avalanche tested
AOI Compatibility — Feasible for Automatic Optical Inspection
RoHS ステータス — Compliant

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