IAUZ18N10S5L420ATMA1 vs IAUZ30N08S5N186ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUZ18N10S5L420ATMA1 par Infineon et IAUZ30N08S5N186ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUZ30N08S5N186ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 100V —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 42 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V to 2.7 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) typ. 8.5 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm PG-TSDSON-8-32 (5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET (trench)
Configuration Single with built-in diode —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 30 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 41 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 18.6 mΩ (typical, VGS = 10 V)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V]
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C (automotive)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status]

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