IAUZ18N10S5L420ATMA1 vs IAUZ30N08S5N186ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUZ18N10S5L420ATMA1 por Infineon e IAUZ30N08S5N186ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUZ30N08S5N186ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 100V —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 42 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V to 2.7 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) typ. 8.5 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm PG-TSDSON-8-32 (5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET (trench)
Configuration Single with built-in diode —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 30 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 41 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 18.6 mΩ (typical, VGS = 10 V)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V]
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +175 °C (automotive)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status]

Fichas técnicas e recursos

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