IAUZ40N06S5N050ATMA1 vs IAUC60N06S5L073ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUZ40N06S5N050ATMA1 par Infineon et IAUC60N06S5L073ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUZ40N06S5N050ATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1 - 60V 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ40N06S5N050ATMA1 - 60V 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ40N06S5N050ATMA1 ✓ Actif
Infineon
IAUC60N06S5L073ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUZ40N06S5N050ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,78 $0,41
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, TC) 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-State Resistance (RDS(on), typ) 5 mΩ at VGS=10 V —
Maximum Power Dissipation (PD) 71 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 1.7 V —
Technology OptiMOS 5 (Trench) Trench (OptiMOS 5)
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Boîtier PG-TSDSON-8-33 (3.3 x 3.3 mm) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
Nombre de broches 8 —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Thermal Resistance (RthJC, max) [DATA_NEEDED: RthJC] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55C to +175C
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Packaging Tape & Reel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 60 A
On-Resistance RDS(on) max — 7.3 mΩ
Total Gate Charge (QG) — 17.4 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 52 W
Nombre de broches — 8
Configuration — Single N-Channel
Qualification — AEC-Q101 automotive grade
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Thermal Resistance RθJA — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient]

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis