IAUZ40N06S5N050ATMA1 vs IAUC60N06S5L073ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUZ40N06S5N050ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC60N06S5L073ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUZ40N06S5N050ATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1 - 60V 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ40N06S5N050ATMA1 - 60V 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ40N06S5N050ATMA1 ✓ 生産中
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IAUC60N06S5L073ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUZ40N06S5N050ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.78 $0.41
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, TC) 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-State Resistance (RDS(on), typ) 5 mΩ at VGS=10 V —
Maximum Power Dissipation (PD) 71 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 1.7 V —
Technology OptiMOS 5 (Trench) Trench (OptiMOS 5)
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
パッケージ PG-TSDSON-8-33 (3.3 x 3.3 mm) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
ピン数 8 —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Thermal Resistance (RthJC, max) [DATA_NEEDED: RthJC] —
動作温度範囲 -55C to +175C -55C to +175C
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Packaging Tape & Reel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 60 A
On-Resistance RDS(on) max — 7.3 mΩ
Total Gate Charge (QG) — 17.4 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 52 W
ピン数 — 8
Configuration — Single N-Channel
Qualification — AEC-Q101 automotive grade
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Thermal Resistance RθJA — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient]

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