IAUZ40N08S5N100ATMA1 vs IAUZ40N06S5L050ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUZ40N08S5N100ATMA1 par Infineon et IAUZ40N06S5L050ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUZ40N06S5L050ATMA1 - 60V 90A 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUZ40N06S5L050ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUZ40N08S5N100ATMA1 | IAUZ40N06S5L050ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,71 | $0,71 |
| Technology | OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | OptiMOS 5 (super-junction N-channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 68 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 10 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg typ | 24.2 nC @ VGS=10 V | — |
| Input Capacitance Ciss | 1591 pF @ VDS=40 V | — |
| Gate-Source Voltage VGS max | ±20 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8 (S3O8) 3.3 × 3.3 mm | PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q100 qualified |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | — | [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C] |
| Drain Current at T<sub>j</sub> | — | 90 A |
| R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V | — | 5 mΩ |
| R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A | — | 6.4 mΩ |
| Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> | — | 2.2 V at 29 µA |
| Total Gate Charge Q<sub>G</sub> | — | 28.2 nC |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | — | 71 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |