IAUZ40N10S5N130ATMA1 vs IAUC100N04S6N028ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUZ40N10S5N130ATMA1 par Infineon et IAUC100N04S6N028ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUZ40N10S5N130ATMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,52 $0,42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUZ40N10S5N130ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (super-junction trench) MOSFET (Metal Oxide)
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
RDS(on) max at VGS=10V 13 mΩ —
RDS(on) typical 10 mΩ —
Maximum Power Dissipation (Tc) 68 W —
Boîtier PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm PG-TDSON-8 (TDSON-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C (TJ) -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead-Free / RoHS ROHS3 Compliant —
Series — OptiMOS 6 40V
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 400 A
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 2.8 mΩ (typical)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 1.5 V to 2.5 V
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g in nC]
Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C — 62 W
Automotive Qualified — Yes
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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