IAUZ40N10S5N130ATMA1 vs IAUC100N04S6N028ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUZ40N10S5N130ATMA1 por Infineon e IAUC100N04S6N028ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUZ40N10S5N130ATMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,52 $0,42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUZ40N10S5N130ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (super-junction trench) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
RDS(on) max at VGS=10V 13 mΩ —
RDS(on) typical 10 mΩ —
Maximum Power Dissipation (Tc) 68 W —
Encapsulamento PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm PG-TDSON-8 (TDSON-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C (TJ) -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead-Free / RoHS ROHS3 Compliant —
Series — OptiMOS 6 40V
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 400 A
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 2.8 mΩ (typical)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 1.5 V to 2.5 V
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g in nC]
Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C — 62 W
Automotive Qualified — Yes
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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