IAUZN04S7N049ATMA1 vs IAUCN04S7L050HATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUZN04S7N049ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7L050HATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUZN04S7N049ATMA1 | IAUCN04S7L050HATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,32 | $0,83 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS-7 | OptiMOS™ 7 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>a</sub>) | 14 A | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>j</sub>) | 70 A | — |
| Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| R<sub>DS(on)</sub> (max, V<sub>GS</sub>=10V) | 1.2 to 4.9 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>c</sub>) | 45 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C (junction) | — |
| Boîtier | PG-TSDSON-8-44 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| Technology | OptiMOS-7 trench-gate | Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V |
| Configuration | — | Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C | — | 65 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.04 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | — | 40 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (family-level, automotive grade) |