IGD06N60TATMA1 vs IKD15N60RFATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IGD06N60TATMA1 par Infineon et IKD15N60RFATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IGD06N60TATMA1 IGD06N60TATMA1 - 600V 6A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGD06N60TATMA1 - 600V 6A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGD06N60TATMA1 ✓ Actif
Infineon
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 - 600V 15A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IKD15N60RFATMA1 - 600V 15A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IKD15N60RFATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IGD06N60TATMA1 IKD15N60RFATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Transistors IGBTs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,62 $1,35
Manufacturer Infineon Technologies —
Series TRENCHSTOP IGBT3 —
IGBT Type Trench Field Stop —
Collector-Emitter Voltage (VCE) 600 V —
Continuous Collector Current (IC) at TC=25°C 12 A —
Continuous Collector Current (IC) at TC=100°C 6 A —
Maximum Pulsed Collector Current (ICM) 18 A (per datasheet) —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 88 W 250 W
Gate-Emitter Voltage (VGE) ±20 V —
VCE(sat) at IC=6A, VGE=15V, Tj=25°C 1.5 V (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGE(th)) 3.0 V min / 5.0 V max (typical 4.0 V) —
Turn-on Switching Energy (Eon) [DATA_NEEDED: Eon] —
Turn-off Switching Energy (Eoff) [DATA_NEEDED: Eoff] —
Integrated Diode Yes, soft-recovery emitter-controlled diode —
Température de jonction en fonctionnement -40 °C to +175 °C -40C to +175C
Storage Temperature -55 °C to +150 °C —
Boîtier PG-TO252-3-11 (DPAK / TO-252) PG-TO252-3 (DPAK), 3 pins (2 + tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Technology — TRENCHSTOP IGBT3 (field-stop trench with anti-parallel diode)
Collector-Emitter Voltage (VCES) — 600 V
Continuous Collector Current (IC at TC=25C) — 30 A
Continuous Collector Current (IC at TC=100C) — 15 A
Pulsed Collector Current (ICM) — [DATA_NEEDED: ICM value]
Gate-Emitter Voltage (VGES) — +/-20 V
Gate-Emitter Threshold (VGE(th)) — [DATA_NEEDED: VGE(th) typical value]
VCE(sat) at IC=15A, VGE=15V — 1.5 V (typical)
Integrated Anti-Parallel Diode — Yes (RC-Drives Fast, co-packaged)
Switching Speed Class — Hard-switching, RC-Drives Fast
Target Application — Consumer drives (washing machines, refrigerator compressors, fans, small industrial motor drives)
RoHS Compliance — Compliant

Fiches techniques et ressources

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