IGLR70R270D2SXUMA1 vs IGL65R080D2XUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IGLR70R270D2SXUMA1 par Infineon et IGL65R080D2XUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 - 700V GaN Transistor, 270mΩ CoolGaN G5 | Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IGLR70R270D2SXUMA1 | IGL65R080D2XUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,13 | $1,97 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN™ G5 | CoolGaN G5 |
| Technology | Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode | GaN-on-Si, 200 mm wafer |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 7.3 A | 18 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 28 W | 81 W |
| On-State Resistance (RDS(on), typ.) | 270 mΩ | — |
| Boîtier | PG-TSON-8-8 (ThinPAK) | PG-TSON-8-U06 (ThinPAK 8x8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount, wettable flank |
| Gate Drive | 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) | — |
| Wafer Process | 200 mm (8-inch) GaN-on-Si | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Plage de température de fonctionnement | -40C to +150C (junction) | -55 °C to +150 °C (TJ) |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 0 nC (no body diode) | — |
| Type de transistor | — | N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode) |
| On-Resistance RDS(on) | — | 80 mΩ (typical) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Typical Applications | — | SMPS, totem-pole PFC, LLC, USB-PD adapters |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, where stated) |