IMLT65R040M2HXTMA1 vs AIMBG120R010M1XTMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IMLT65R040M2HXTMA1 par Infineon et AIMBG120R010M1XTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IMLT65R040M2HXTMA1 - 650V 57A 40mOhm CoolSiC G2 MOSFET | Infineon
IMLT65R040M2HXTMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IMLT65R040M2HXTMA1 | AIMBG120R010M1XTMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,25 | $41,90 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolSiC™ G2 (2nd generation SiC trench) | CoolSiC™ G1 Automotive SiC Trench MOSFET |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) N-channel MOSFET | Silicon Carbide (SiC) Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | 1200 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC) | 57 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | 143 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) (typ, VGS=18V) | 40 mΩ | — |
| On-State Resistance RDS(on) (max, VGS=18V) | 49 mΩ | — |
| Total Gate Charge QG | 28 nC | — |
| Output Charge QOSS @ 400 V | 53 nC | — |
| Output Energy EOSS @ 400 V | 7.2 µJ | — |
| Continuous Drain Power Dissipation (PD, TC) | 268 W | — |
| Recommended Gate Drive Voltage VGS | 18 V (turn-off: 0 V or negative) | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +150 °C | -55°C to +175°C |
| Boîtier | PG-HDSOP-16-6 (surface mount, top-side-cooled) | PG-TO263-7 (TO-263-7 / D2PAK-7) surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | JEDEC industrial | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Special Features | Kelvin source pin, low reverse-recovery charge, hard-switching optimized | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 205 A |
| On-Resistance RDS(on), typ | — | 8.7 mΩ |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 882 W |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Nombre de broches | — | 7 + Tab |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level per JEDEC J-STD-020] |