IPA60R190C6XKSA1 vs IPB60R190C6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPA60R190C6XKSA1 par Infineon et IPB60R190C6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPA60R190C6XKSA1 | IPB60R190C6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,18 | $1,45 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS C6 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 20.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 34 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | 3.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | -55C to +150C |
| Boîtier | PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Type de montage | Through Hole | Surface Mount |
| Tab Isolation | Fully isolated (4 kV) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead Free | Yes | — |
| Technology | — | CoolMOS C6 Superjunction N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 20.2 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 151 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 190 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 32 nC |
| Nombre de broches | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Niveau MSL | — | 1 |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (EAS per datasheet) |