IPA60R190C6XKSA1 vs IPW60R080P7XKSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPA60R190C6XKSA1 par Infineon et IPW60R080P7XKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPA60R190C6XKSA1 | IPW60R080P7XKSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,18 | $2,65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS C6 | CoolMOS P7 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 20.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 34 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | -55 C to +150 C (junction) |
| Boîtier | PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab) | PG-TO247-3 (TO-247, 3-pin through-hole) |
| Type de montage | Through Hole | Through Hole |
| Tab Isolation | Fully isolated (4 kV) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead Free | Yes | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 37 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 129 W |
| RDS(on) (typ) | — | 69 mΩ at VGS = 10 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V (typ, per datasheet family) |
| Rise Time / Fall Time (tr/tf) | — | [DATA_NEEDED: tr/tf value] |
| Packaging | — | Tube (XKSA1 ordering suffix) |