IPB014N06NATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB014N06NATMA1 par Infineon et IPD65R380E6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB014N06NATMA1 IPD65R380E6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,10 $0,65
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 34 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 214 W —
On-Resistance RDS(on) max 1.4 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-TO263-7 (D2PAK-7) PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (trench-gate) Superjunction (CoolMOS™)
Avalanche Rating 100% avalanche tested —
Qualification JEDEC qualified for target applications —
Primary Application Synchronous rectification, motor control —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS™ E6
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 650 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 10.6 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 380 mΩ
R_DS(on) test conditions — 3.2 A, 10 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.5 V typ
Gate Charge (Q_G) — 39 nC at 10 V
Input Capacitance (C_iss) — 710 pF at 100 V
Power Dissipation (P_D) at T_C — 83 W
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +150 °C
Statut RoHS — Compliant
Niveau MSL — 1

Fiches techniques et ressources

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