IPB017N10N5LFATMA1 vs BSC040N10NS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB017N10N5LFATMA1 par Infineon et BSC040N10NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB017N10N5LFATMA1 BSC040N10NS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,05 $0,93
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 Linear FET —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 180 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C 313 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V 1.7 mΩ (max) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) -55C to +150C
Boîtier / Format PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (unlimited) —
Avalanche Rated Yes —
Linear-Mode (SOA) Optimized Yes (OptiMOS Linear FET) —
Maximum On-Resistance (RDS(on)) — 4 mOhm
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) max — 136 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 139 W
Boîtier — PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) / TDSON EP-8
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Output Capacitance Reduction — Up to 44% vs previous generation
RDS(on) Reduction — Up to 43% vs previous generation
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per Infineon OptiMOS 5 family)

Fiches techniques et ressources

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