IPB020N08N5ATMA1 vs IPB081N06L3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB020N08N5ATMA1 par Infineon et IPB081N06L3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPB081N06L3GATMA1 - 60V 50A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB081N06L3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPB020N08N5ATMA1 | IPB081N06L3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,45 | $0,95 |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS 3 (low-voltage power MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 120 A | 50 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 480 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] |
| Maximum RDS(on) at VGS=10V | 2.0 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | 1.2 V min, 2.1 V typ, 2.6 V max |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 300 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | [DATA_NEEDED: RthJC value, approx 0.5 C/W] | — |
| Boîtier | PG-TO263-3 (D2PAK-2) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Energy Rated (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| Configuration | Single N-channel, 3-pin (2+Tab) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (unlimited) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 8.1 mOhm typical |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 79 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +175 C (junction) |
| Nombre de broches | — | 3 |
| Pin Configuration | — | Gate / Drain / Source (D2PAK standard) |