IPB031N08N5ATMA1 vs IPB024N10N5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB031N08N5ATMA1 par Infineon et IPB024N10N5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB031N08N5ATMA1 IPB024N10N5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,62 $1,86
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 120 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) Max 167 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) Max 3.1 mOhm (VGS=10V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55C to +175C (junction)
Boîtier PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source + Tab) —
Tab Connection Drain (electrically connected to pin) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Automotive Qualified Yes (per Arrow listing) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 180 A
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 250 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Input Capacitance Ciss — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Output Capacitance Coss — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
Sans halogène — Yes (per Infineon product family policy)

Fiches techniques et ressources

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