IPB031N08N5ATMA1 vs IPB024N10N5ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPB031N08N5ATMA1 メーカー: Infineon および IPB024N10N5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IPB031N08N5ATMA1 IPB024N10N5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.62 $1.86
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 120 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) Max 167 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) Max 3.1 mOhm (VGS=10V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
動作温度範囲 -55 C to +175 C -55C to +175C (junction)
パッケージ PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 (Gate, Drain, Source + Tab) —
Tab Connection Drain (electrically connected to pin) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Automotive Qualified Yes (per Arrow listing) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 180 A
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 250 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Input Capacitance Ciss — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Output Capacitance Coss — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
ハロゲンフリー — Yes (per Infineon product family policy)

データシート&リソース

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