IPB037N06N3GATMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB037N06N3GATMA1 par Infineon et IPB60R280P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPB037N06N3GATMA1 - 60V 90A 3.7mOhm OptiMOS 3 N-MOSFET D2PAK | Infineon
IPB037N06N3GATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPB037N06N3GATMA1 | IPB60R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,41 | $0,88 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPB037N06N3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-channel, enhancement mode) | Superjunction (SJ) |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 90 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| On-Resistance RDS(on) Max | 3.7 mOhm at VGS=10V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 3.5 V | — |
| Total Power Dissipation (Pd) at Tc | 188 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C (junction) | -55 °C to +150 °C (T_j max) |
| Boîtier / Format | PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: gate charge value] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (unlimited) | — |
| Drain Tab Connection | Tab electrically tied to drain | — |
| Product Family | — | CoolMOS P7 (600 V) |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 12 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 280 mOhm |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | — | 3.5 V |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | — | 53 W |
| Boîtier | — | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Nombre de broches | — | 3 (2 + Tab) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Lead-Free | — | Yes |
| Generation | — | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) |