IPB037N06N3GATMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB037N06N3GATMA1 por Infineon e IPB60R280P7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB037N06N3GATMA1 IPB60R280P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,41 $0,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPB037N06N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel, enhancement mode) Superjunction (SJ)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) Max 3.7 mOhm at VGS=10V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V —
Total Power Dissipation (Pd) at Tc 188 W —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C (junction) -55 °C to +150 °C (T_j max)
Encapsulamento / Caixa PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: gate charge value] —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 (unlimited) —
Drain Tab Connection Tab electrically tied to drain —
Product Family — CoolMOS P7 (600 V)
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Encapsulamento — PG-TO263-3 (D2PAK)
Contagem de pinos — 3 (2 + Tab)
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

Fichas técnicas e recursos

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