IPB038N12N3GATMA1 vs BSC032N04LSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB038N12N3GATMA1 par Infineon et BSC032N04LSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPB038N12N3GATMA1 | BSC032N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,78 | $0,32 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 120V | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | 120 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 300 W | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | 3.8 mOhm (typical) | — |
| Boîtier / Format | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | OptiMOS 5 trench |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C (junction) | — |
| Standard Package Quantity | 1000 (Tape & Reel) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Part Series | — | OptiMOS 5 40V |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 21 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 98 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.2 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 52 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Boîtier | — | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55°C to +175°C |
| Lead-Free | — | Yes |