IPB081N06L3GATMA1 vs BSC028N06NSTATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB081N06L3GATMA1 par Infineon et BSC028N06NSTATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPB081N06L3GATMA1 - 60V 50A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB081N06L3GATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPB081N06L3GATMA1 | BSC028N06NSTATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,95 | $0,40 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | OptiMOS 5 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Boîtier | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.2 V min, 2.1 V typ, 2.6 V max | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 8.1 mOhm typical | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 79 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C (junction) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 | — |
| Pin Configuration | Gate / Drain / Source (D2PAK standard) | — |
| Technology | OptiMOS 3 (low-voltage power MOSFET) | MOSFET N-Channel (OptiMOS 5) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (unlimited) | 1 |
| Part Number Base | — | BSC028N06NS |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.8 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5 V to 3.5 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 37 nC @ VGS=10V |
| Input Capacitance Ciss | — | 3000 nC [DATA_NEEDED: confirm exact pF from datasheet] |
| Output Capacitance Coss | — | 825 pF |
| Reverse Transfer Capacitance Crss | — | 56 pF |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 100 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Sans halogène | — | Yes |
| AEC-Q101 Automotive Qualified | — | [DATA_NEEDED: confirm from datasheet - this is the NS base, automotive grade may differ] |