IPB081N06L3GATMA1 vs BSC028N06NSTATMA1 比較

詳細な並列比較: IPB081N06L3GATMA1 メーカー: Infineon および BSC028N06NSTATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC028N06NSTATMA1 BSC028N06NSTATMA1 - 60V 2.8mΩ N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC028N06NSTATMA1 - 60V 2.8mΩ N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC028N06NSTATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPB081N06L3GATMA1 BSC028N06NSTATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.95 $0.40
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 OptiMOS 5
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
パッケージ PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8, 5x6 mm)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.2 V min, 2.1 V typ, 2.6 V max —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 8.1 mOhm typical —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 79 W —
動作温度範囲 -55 C to +175 C (junction) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 —
Pin Configuration Gate / Drain / Source (D2PAK standard) —
Technology OptiMOS 3 (low-voltage power MOSFET) MOSFET N-Channel (OptiMOS 5)
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 (unlimited) 1
Part Number Base — BSC028N06NS
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V to 3.5 V
Total Gate Charge Qg — 37 nC @ VGS=10V
Input Capacitance Ciss — 3000 nC [DATA_NEEDED: confirm exact pF from datasheet]
Output Capacitance Coss — 825 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 56 pF
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 100 W
動作接合温度 — -55C to +175C
ハロゲンフリー — Yes
AEC-Q101 Automotive Qualified — [DATA_NEEDED: confirm from datasheet - this is the NS base, automotive grade may differ]

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