IPB100N04S4H2ATMA1 vs IPC70N04S5L4R2ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB100N04S4H2ATMA1 par Infineon et IPC70N04S5L4R2ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB100N04S4H2ATMA1 IPC70N04S5L4R2ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,42 $0,78
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Technology OptiMOS-T2 (trench gate) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) at VGS=10V 2.4 mΩ typical —
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C 115 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temp range] —
Boîtier PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL1 (up to 260C peak reflow) MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Avalanche Energy (EAS) 100% avalanche tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Drain to Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 70 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 50 W
R_DS(on) Max @ Vgs=10V — 4.2 mΩ (typ)
Gate Threshold (Vgs(th)) — Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 4.5 V
Operating Temperature (Tj) — -55°C to +175°C
Avalanche Tested — 100% (60 A production test)
Statut RoHS — Compliant (Green Product)
Configuration — Single with Built-in Diode
Case Connection — DRAIN

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