IPB100N12S305ATMA1 vs IPB100N04S4H2ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB100N12S305ATMA1 par Infineon et IPB100N04S4H2ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPB100N04S4H2ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB100N04S4H2ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPB100N12S305ATMA1 | IPB100N04S4H2ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,25 | $1,42 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS Power MOSFET | — |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 100 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) | 300 W (Tc) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 4.8 mOhm (typical) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 185 nC | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C (TJ) | — |
| Boîtier / Format | PG-TO263-3-1 (D2PAK, surface mount) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | AEC-Q101 qualified |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | MSL1 (up to 260 C peak reflow) | — |
| Avalanche Tested | 100% Avalanche Tested | — |
| RoHS Compliance | RoHS Compliant (Green Product) | Compliant (Green Product) |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Technology | — | OptiMOS-T2 (trench gate) |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: max VGS rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| RDS(on) at VGS=10V | — | 2.4 mΩ typical |
| Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C | — | 115 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temp range] |
| Boîtier | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount |
| Niveau MSL | — | MSL1 (up to 260C peak reflow) |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 100% avalanche tested |