IPB107N20N3GATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB107N20N3GATMA1 par Infineon et BSC077N12NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPB107N20N3GATMA1 - 200V 88A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB107N20N3GATMA1 ✓ ActifInfineon
BSC077N12NS3GATMA1 - 120V OptiMOS 3 N-Ch MOSFET, 7.7mΩ | Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPB107N20N3GATMA1 | BSC077N12NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,18 | $0,71 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 88 A | 98 A |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] | — |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] | — |
| Boîtier | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (Drain, Source, Gate) + Tab | 8 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | — |
| Part Family | — | OptiMOS 3 (120 V) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 13.4 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.7 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 139 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Niveau MSL | — | 1 |
| Automotive Grade | — | Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) |