IPB107N20N3GATMA1 vs BSC123N08NS3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB107N20N3GATMA1 par Infineon et BSC123N08NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPB107N20N3GATMA1 - 200V 88A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB107N20N3GATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPB107N20N3GATMA1 | BSC123N08NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,18 | $0,71 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 88 A | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] | — |
| Boîtier | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (Drain, Source, Gate) + Tab | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant with exemption |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | — |
| Part Family | — | OptiMOS 3 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single with built-in body diode |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Maximum Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 55 A |
| Maximum Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 11 A |
| Maximum Pulsed Drain Current | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10 V | — | 12.3 mOhm |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Power Dissipation (Tc) | — | 66 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101) |