IPB180P04P4L02ATMA2 vs IPD30N08S2L21ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB180P04P4L02ATMA2 par Infineon et IPD30N08S2L21ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPB180P04P4L02ATMA2 - 40V P-Channel 180A OptiMOS-P2 MOSFET | Infineon
IPB180P04P4L02ATMA2 ✓ ActifInfineon
IPD30N08S2L21ATMA1 - 75V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon
IPD30N08S2L21ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPB180P04P4L02ATMA2 | IPD30N08S2L21ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,85 | $0,48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS-P2 | OptiMOS |
| Type de transistor | P-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 180 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 150 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 2.4 mOhm at VGS = -10 V (per Infineon product page) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C (junction) | -55C to +175C |
| Boîtier | PG-TO263-7-3 (D2PAK-6, 7-pin) | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 7 (6 + tab) | 3 (Drain tab + Gate + Source) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Statut RoHS | Compliant (per Infineon product page) | Compliant |
| Tab Connection | Drain | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V | — | 26 milliohm (typ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (L series) |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 56 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 136 W |
| Maximum Junction Temperature | — | +175C |