IPB70N10S3L12ATMA2 vs IPB70N10S3L12ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB70N10S3L12ATMA2 par Infineon et IPB70N10S3L12ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB70N10S3L12ATMA2 IPB70N10S3L12ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,92 $1,65
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C 70 A —
R<sub>DS(on)</sub> (Max) @ V<sub>GS</sub>=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C 125 W —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: V<sub>GS(th)</sub> typical/min/max] —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C —
Boîtier PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 Qualified
Peak Reflow Temperature 260°C (JEDEC J-STD-020) —
Avalanche Tested 100% tested 100 % Avalanche Tested
RoHS / Green Compliance Compliant (Green product) —
Technology OptiMOS-T trench —
Polarity N-Channel Enhancement Mode —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS (IPB70N10)
Type de transistor — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 70 A
Peak Drain Current (IDM) — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.8 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 125 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Boîtier / Format — PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

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