IPB70N10S3L12ATMA2 vs IPB70N10S3L12ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB70N10S3L12ATMA2 por Infineon e IPB70N10S3L12ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB70N10S3L12ATMA2 IPB70N10S3L12ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,92 $1,65
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C 70 A —
R<sub>DS(on)</sub> (Max) @ V<sub>GS</sub>=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C 125 W —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: V<sub>GS(th)</sub> typical/min/max] —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C —
Encapsulamento PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 Qualified
Peak Reflow Temperature 260°C (JEDEC J-STD-020) —
Avalanche Tested 100% tested 100 % Avalanche Tested
RoHS / Green Compliance Compliant (Green product) —
Technology OptiMOS-T trench —
Polarity N-Channel Enhancement Mode —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS (IPB70N10)
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 70 A
Peak Drain Current (IDM) — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.8 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 125 W
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
Encapsulamento / Caixa — PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

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