IPC100N04S5L1R1ATMA1 vs IPC70N04S5L4R2ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPC100N04S5L1R1ATMA1 par Infineon et IPC70N04S5L4R2ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPC100N04S5L1R1ATMA1 IPC70N04S5L4R2ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,86 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-5 40 V —
Type de transistor N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
On-Resistance RDS(on) max 1.1 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic Level —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL1 (unlimited floor life, 260 °C peak reflow) MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Avalanche Tested 100% avalanche tested 100% (60 A production test)
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 70 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 50 W
R_DS(on) Max @ Vgs=10V — 4.2 mΩ (typ)
Gate Threshold (Vgs(th)) — Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 4.5 V
Operating Temperature (Tj) — -55°C to +175°C
Statut RoHS — Compliant (Green Product)
Configuration — Single with Built-in Diode
Case Connection — DRAIN

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