IPC100N04S5L1R1ATMA1 vs IPC70N04S5L4R2ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPC100N04S5L1R1ATMA1 por Infineon e IPC70N04S5L4R2ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPC100N04S5L1R1ATMA1 IPC70N04S5L4R2ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,86 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-5 40 V —
Tipo de transistor N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
On-Resistance RDS(on) max 1.1 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic Level —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL1 (unlimited floor life, 260 °C peak reflow) MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Avalanche Tested 100% avalanche tested 100% (60 A production test)
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 70 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 50 W
R_DS(on) Max @ Vgs=10V — 4.2 mΩ (typ)
Gate Threshold (Vgs(th)) — Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 4.5 V
Operating Temperature (Tj) — -55°C to +175°C
Status RoHS — Compliant (Green Product)
Configuration — Single with Built-in Diode
Case Connection — DRAIN

Fichas técnicas e recursos

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