IPC50N04S55R8ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPC50N04S55R8ATMA1 par Infineon et ISC011N04NM7VATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 - 40V 50A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPC50N04S55R8ATMA1 - 40V 50A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPC50N04S55R8ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPC50N04S55R8ATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,61 $0,41
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) Trench MOSFET, silicon
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 50 A —
Power Dissipation (P_D) at Tc 42 W —
R_DS(on) Max (V_GS=10V) 5.8 mΩ —
Output Capacitance (C_oss) 305 pF —
Gate Threshold (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th)] —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C (TJ)
Boîtier PG-TDSON-8-33 (TDSON EP) PG-TDSON-8 (source-down)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL1 (260 °C peak reflow) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
RoHS / Green RoHS compliant, Green Product —
Polarity Enhancement Mode —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis