IPC90N04S5L3R3ATMA1 vs IQE220N15NM5CGSCATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPC90N04S5L3R3ATMA1 par Infineon et IQE220N15NM5CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPC90N04S5L3R3ATMA1 - 40V 90A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IPC90N04S5L3R3ATMA1 ✓ ActifInfineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPC90N04S5L3R3ATMA1 | IQE220N15NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,96 | $2,18 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 40V | — |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.3 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 1.7 V to 2.7 V (logic level) | — |
| Total Power Dissipation (TC=25°C) | 62 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +175°C | — |
| Storage Temperature Range | [DATA_NEEDED: storage temp range] | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) | PG-WHTFN-9 (Source-Down) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Moisture Sensitivity | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Peak Reflow Temperature | 260°C | — |
| Qualification | AEC-Q101 automotive qualified | — |
| Avalanche Tested | 100% (production-level) | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Green Product) | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | — | 7 A |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | — | 44 A |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 100 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 22 milliohm (max) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4.6 V |
| Technology | — | OptiMOS 5, Source-Down |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C (junction) |
| Statut RoHS | — | Compliant |