IPD034N06N3GATMA1 vs IAUC100N04S6L025ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD034N06N3GATMA1 par Infineon et IAUC100N04S6L025ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 ✓ Actif
Infineon
IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD034N06N3GATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,51 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS 6 40V trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 167 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 4 V at 93 uA —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Pin Configuration 3-Pin (2 + Tab) —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
Statut RoHS Compliant (Pb-free green finish) Compliant
Automotive Qualified Yes (per Infineon product page) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulse rating]
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.5 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 62 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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