IPD034N06N3GATMA1 vs IAUC100N04S6L025ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPD034N06N3GATMA1 제조: Infineon 및 IAUC100N04S6L025ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 ✓ 활성
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IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPD034N06N3GATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.51 $0.62
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS 6 40V trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 167 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 4 V at 93 uA —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
패키지 PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Pin Configuration 3-Pin (2 + Tab) —
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
RoHS 상태 Compliant (Pb-free green finish) Compliant
Automotive Qualified Yes (per Infineon product page) —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulse rating]
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.5 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 62 W
동작 접합 온도 — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free — Yes

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