IPD052N10NF2SATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD052N10NF2SATMA1 par Infineon et IPD65R380E6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPD052N10NF2SATMA1 IPD052N10NF2SATMA1 - 100V N-Ch MOSFET 5.2mΩ 118A | Infineon

IPD052N10NF2SATMA1 - 100V N-Ch MOSFET 5.2mΩ 118A | Infineon

IPD052N10NF2SATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD052N10NF2SATMA1 IPD65R380E6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,55 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD052N10NF2SATMA1 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 100V Superjunction (CoolMOS™)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 17 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 118 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max 5.2 mΩ @ VGS=10V, ID=70A —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Max 3.8 V @ ID=84µA —
Boîtier / Format PG-TO252-3 (DPAK, SC-63) —
Supplier Device Package PG-TO252-3 —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (TJ) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Number of Channels 1 —
Series — CoolMOS™ E6
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 650 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 10.6 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 380 mΩ
R_DS(on) test conditions — 3.2 A, 10 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.5 V typ
Gate Charge (Q_G) — 39 nC at 10 V
Input Capacitance (C_iss) — 710 pF at 100 V
Power Dissipation (P_D) at T_C — 83 W
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +150 °C
Boîtier — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Niveau MSL — 1

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