IPD068P03L3GATMA1 vs IPD042P03L3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD068P03L3GATMA1 par Infineon et IPD042P03L3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD068P03L3GATMA1 | IPD042P03L3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,51 | $0,28 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS P-Channel Power MOSFET | — |
| Polarity / Channel Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | -70 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_D,pulse) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | 100 W | — |
| R_DS(on) max at V_GS=-10V | 0.005 ohm (typical) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (V_GS(th)) | -1.0 V to -2.2 V | — |
| Gate Charge (Q_g) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C (junction) | -55°C to +175°C (TJ) |
| Boîtier | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) | 1 |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS™ P (Trench) |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | -70 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | -280 A |
| RDS(on) max @ VGS = -10 V | — | 4.2 mΩ |
| RDS(on) max @ VGS = -4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ -4.5 V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -1.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Total Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) | — | 150 W |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | 290 mJ |