IPD11DP10NMATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD11DP10NMATMA1 par Infineon et IPD50N06S409ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD11DP10NMATMA1 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,62 | $0,49 |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -100 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 3.4 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 22 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 125 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 111 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) at ID=18A, VGS=10V | 111 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V (typ at 1.7 mA) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | 74 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 230 pF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 63 pF | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ Trench | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Nombre de broches | — | 3 (2 + Tab) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |