IPD30N08S2L21ATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD30N08S2L21ATMA1 par Infineon et BSC076N06NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD30N08S2L21ATMA1 - 75V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon
IPD30N08S2L21ATMA1 ✓ ActifInfineon
BSC076N06NS3GATMA1 - 60V 50A 7.6mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC076N06NS3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPD30N08S2L21ATMA1 | BSC076N06NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,48 | $0,65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V | 26 milliohm (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level (L series) | 2.0 V to 3.5 V |
| Gate Charge (Qg) typ | 56 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 136 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | -55C to +150C |
| Maximum Junction Temperature | +175C | — |
| Boîtier | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (Drain tab + Gate + Source) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Niveau MSL | 1 | 1 (unlimited) |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Technology | — | N-Channel Trench MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 50 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 7.6 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | 10.4 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 69 W |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Sans halogène | — | Yes (per Infineon product page) |