IPD30N10S3L34ATMA1 vs IPD30N06S2L13ATMA4 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD30N10S3L34ATMA1 par Infineon et IPD30N06S2L13ATMA4 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD30N10S3L34ATMA1 - 100V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
IPD30N10S3L34ATMA1 ✓ ActifInfineon
IPD30N06S2L13ATMA4 - 55V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
IPD30N06S2L13ATMA4 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPD30N10S3L34ATMA1 | IPD30N06S2L13ATMA4 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,38 | $0,48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T2 | — |
| Type de transistor | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 57 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | 31 mΩ @ VGS=10 V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) | 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V) | — |
| Total Gate Charge (Qg typ) | 23 nC | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +175°C | — |
| Boîtier | PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Niveau MSL | 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) | — |
| RoHS / REACH | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / Yes | — |
| Avalanche Rated | 100% Avalanche tested | — |
| Part Family | — | OptiMOS |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Mode | — | Enhancement |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 30 A (Tc) |
| Power Dissipation (Pd) | — | 136 W (Tc) |
| Température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Green Package) |
| Avalanche Tested | — | 100 % production-tested |
| Technology | — | Planar (OptiMOS) |
| On-State Resistance (Rds(on)) | — | [DATA_NEEDED: exact typ/max Rds(on) at Vgs=10V and at Vgs=4.5V] |
| Gate-Source Threshold (Vgs(th)) | — | Logic-level (typ [DATA_NEEDED: Vth typ/min/max]) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg @ Vgs=10V, Id=30A] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss typ at Vds=25V] |
| Diode Reverse Recovery (trr) | — | [DATA_NEEDED: trr typ] |
| Nombre de broches | — | 3 (Drain tab + Gate + Source) |
| Tape and Reel Packaging | — | Yes (T&R per IEC 60286-3) |