IPD30N10S3L34ATMA2 vs IPD35N10S3L26ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD30N10S3L34ATMA2 par Infineon et IPD35N10S3L26ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPD30N10S3L34ATMA2 IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD30N10S3L34ATMA2 IPD35N10S3L26ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,92 $0,81
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 30 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 180 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 57 W —
R_DS(on) max at V_GS=10V 31 mOhm (typ) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) max 2.4 V —
Total Gate Charge (Qg) max 31 nC —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C -55°C to +175°C
Package / Supplier Device Package PG-TO252-3-11 (DPAK) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Pin / Tab Count 3 (2 + Tab) —
Technology OptiMOS-T (trench) OptiMOS-T (N-channel enhancement mode trench MOSFET)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Statut RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD35N10S3L26ATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 35 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V — 26 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 71 W
Boîtier — PG-TO252-3-11 (DPAK-2)
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, Green product (halogen-free)
Typical Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg from datasheet]

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