IPD33CN10NGATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD33CN10NGATMA1 par Infineon et ISC080N10NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD33CN10NGATMA1 ISC080N10NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,32 $1,05
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 27 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 58 W —
Technology OptiMOS (Trench) —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount PG-TDSON-8 FL (TDSON EP)
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (TJ) -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 3.3 V at 36 µA
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Niveau MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet)
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS™ 6 100V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 75 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A — 8.05 mΩ
Sans halogène — Yes
Qualification — Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family)

Fiches techniques et ressources

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