IPD33CN10NGATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD33CN10NGATMA1 por Infineon e ISC080N10NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD33CN10NGATMA1 ISC080N10NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,32 $1,05
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 27 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 58 W —
Technology OptiMOS (Trench) —
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount PG-TDSON-8 FL (TDSON EP)
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (TJ) -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 3.3 V at 36 µA
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Nível MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet)
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS™ 6 100V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 75 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A — 8.05 mΩ
Livre de halogênio — Yes
Qualification — Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family)

Fichas técnicas e recursos

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