IPD35N10S3L26ATMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD35N10S3L26ATMA1 par Infineon et IPD30N10S3L34ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD30N10S3L34ATMA1 - 100V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
IPD30N10S3L34ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPD35N10S3L26ATMA1 | IPD30N10S3L34ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,81 | $0,38 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD35N10S3L26ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS-T (N-channel enhancement mode trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 35 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | 180 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | 26 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V | — |
| Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 71 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +175°C | -55°C to +175°C |
| Boîtier | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) | PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | MSL1 (up to 260°C peak reflow) | 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Tested | 100% avalanche tested | — |
| RoHS / Halogen-Free | RoHS compliant, Green product (halogen-free) | — |
| Typical Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg from datasheet] | — |
| Product Family | — | OptiMOS-T2 |
| Type de transistor | — | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 30 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 57 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | — | 31 mΩ @ VGS=10 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V) |
| Total Gate Charge (Qg typ) | — | 23 nC |
| RoHS / REACH | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche tested |