IPD50N10S3L16ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD50N10S3L16ATMA1 par Infineon et ISC015N06NM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD50N10S3L16ATMA1 - 100V N-Ch 50A OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon
IPD50N10S3L16ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD50N10S3L16ATMA1 | ISC015N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,89 | $0,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD50N10S3L16ATMA1 | — |
| Series | OptiMOS-T | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 200 A | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 15 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 2.5 V (typ) | — |
| Power Dissipation (P_D, T_C=25C) | 100 W | — |
| Boîtier | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | -55 C to +175 C |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | — | 259 A |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Total Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Total Power Dissipation (TC) | — | 188 W |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | 1 |