IPD60R210PFD7SAUMA1 vs IPD60R145CFD7ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD60R210PFD7SAUMA1 par Infineon et IPD60R145CFD7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R145CFD7ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,54 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS PFD7 —
Technology Superjunction (CoolMOS) N-Channel Power MOSFET CoolMOS CFD7 (superjunction)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 16 A —
On-Resistance (RDS(on), max) 210 mOhm —
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) 64 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.5 V —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Package Type TO-252 (DPAK) —
Manufacturer Package Designator PG-TO252-3-344 —
Type de montage Surface Mount (SMT) Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab)
Pin Configuration 3-Pin (2+Tab) - Gate, Drain (tab), Source —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (TJ) —
Lead-Free / RoHS Yes (compliant) —
Application Segment Consumer-grade SMPS —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 600 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 16 A (T<sub>C</sub> = 25C)
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 145 mOhm
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 83 W (T<sub>C</sub> = 25C)
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max]
Boîtier — TO-252AA (DPAK) surface mount
Body Diode — Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>)
Température de fonctionnement — -55C to +150C (junction)
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source)
Series — CoolMOS CFD7
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS — Compliant
Target Application — ZVS / LLC resonant converters, soft switching

Fiches techniques et ressources

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